EEPW
技術(shù)應(yīng)用
MARM(Magnetic Random Access Memory) 是一種非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。 。查看更多>>
HBM4競爭格局生變
長江存儲進入加速期,三期項目計劃今年建成投產(chǎn)
國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備加速崛起
上調(diào)100%!存儲市場又一重磅調(diào)價信號
插混車型成為“突破口”:中國車企在歐洲市場的銷量再創(chuàng)新高
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MRAM STT-MRAM